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ALLOS與KAUST合力研發高效硅基InGaN紅色Micro LED

2020-07-22    

中國照明網報道

15907

導語: 據報道,德國硅基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣布與沙特阿卜都拉國王科技大學(KAUST)研究團隊達成合作,雙方將共同研發高效硅基InGaN紅色Micro LED。

  據報道,德國硅基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣布與沙特阿卜都拉國王科技大學(KAUST)研究團隊達成合作,雙方將共同研發高效硅基InGaN紅色Micro LED。

  據了解,大晶格失配(lattice mismatch )和量子限制斯塔克效應(quantum-confined Stark effect,QCSE)等問題限制了紅色氮基LED在實際工業應用中的使用,而ALLOS與KAUST本次合作將致力于解決這些基本問題。


圖片來源:ALLOS

  值得注意的是,在Micro LED顯示領域,除了藍色和綠色LED之外,Micro LED顯示還對在大尺寸晶圓上生長紅色LED有強勁的需求,目的在于降低制造復雜性和成本。

  據悉,KAUST團隊此前通過采用局部應變補償(Local Strain Compensation)和改良后的MOCVD反應器設計,在開發正向電壓(Forward Voltage)低于2.5V且高效的InGaN基紅色Micro LED方面獲得了一些突破。他們已在藍寶石襯底和Ga2O3(氧化鎵)襯底上生長出紅色LED。


圖片來源:KAUST

  為了采用晶圓級(尤其是大尺寸晶圓)工程應變技術來開發潛在高性能紅色LED,KAUST團隊與ALLOS共同將研究工作延伸到硅襯底上。憑借能夠將晶圓片擴展到300mm以及在硅襯底產線上加工的能力,雙方的合作將加快量產進程。對于Micro LED顯示器,特別是用于AR設備的單片集成Micro LED顯示器而言,這將是另一個重要的助攻。

  KAUST團隊與ALLOS將充分利用各自的專業知識來處理應變問題,優化硅基氮化鎵和紅色LED的晶體生長條件,進而實現在硅基氮化鎵緩沖層上生長紅色LED堆棧(Stack)。

編輯:嚴志祥

來源:LEDinside編譯

標簽:ALLOS  KAUST  硅基InGaN  紅色Micro  LED  

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